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STH210N75F6-2 |
TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | STMicroelectronics | 1474 | 鐢佃瘽锛�0755-83217923 询价QQ：  |
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STH210N75F6-2参数 产品类别：分立半导体产品-FET - 单 说明：MOSFET N-CH 75V 180A H2PAK-2 包装数量：1 包装形式： PDF资料下载：  PDF文档FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压 (Vdss)：75V 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：180A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：2.8 毫欧 @ 90A，10V 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：171nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：11800pF @ 25V 功率 - 最大值：300W 安装类型：表面贴装 |
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热门型号： Card EdgeECM44DSEN-S243 矩形 - 外壳H3P-SHF-AA 存储器M29F010B70K6F Card EdgeAMM25DSXI 同轴，RFFA1-NFSP-C04-1 Card EdgeAMM08DRMI Card EdgeECA40DTKI-S288 嵌入式 - 微控制STR711FR1H6 共模扼流圈744862180 薄膜电容器B32652A0223J |
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